品名 | 英文名 | 分子式 | 级别 | |||
SL | UL | VL(CMOS) | EL | |||
氟化铵腐蚀液(BOE) | Ammonium Fluoride Etchant | NH4F·HF | ■ | ■ | ■ | ■ |
氟化铵腐蚀液(BOES) | Ammonium Fluoride Etchant(with Surfactant) | NH4F·HF | ■ | ■ | ■ | ■ |
铝蚀刻液 | Aluminum Etchant | H3PO4·HNO3·CH3COOH | ■ | ■ | ■ | |
钼蚀刻液 | Mo Etchant | H3PO4·HNO3·CH3COOH | ■ | ■ | ■ | |
钼铝/钼铝钼蚀刻液 | MoAl/MoAlMo Etchant | H3PO4·HNO3·CH3COOH | ■ | ■ | ■ | |
硅蚀刻液(MAE) | Silicon Etchant | HNO3·HF·CH3COOH | ■ | ■ | ■ | |
金蚀刻液 | Au Etchant | KI | ■ | |||
银蚀刻液 | Ag Etchant | H3PO4·HNO3 | ■ | ■ | ■ | |
钛蚀刻液 | Ti Etchant | HF | ■ | ■ | ■ | ■ |
铬蚀刻液 | Cr Etchant | HNO3CAN | ■ | ■ | ||
酸性剥离液(AP-2X) | Nanostrip 2XP | H2SO5 | ■ | ■ | ■ | |
氢氟酸腐蚀液DHF | Hydrofluoric Acid(with Surfactant) | HF | ■ | ■ | ■ | ■ |
ITO蚀刻液(王水) | ITO Etchant | HNO3·HCI | ■ | ■ | ||
ITO蚀刻液(草酸) | ITO Etchant | HNO3·HCI | ■ | ■ | ||
ITO蚀刻液(FeCl3) | ITO Etchant | HNO3·HCI | ■ |
● EL级:优于美国SEME C1标准,控制1μm颗粒,控制十多个金属元素,单项金属元素控制在100PPb。
● VL级:介于EL与UL之间,控制0.5μm颗粒,控制三十多个金属元素,单项金属元素控制在10~100PPb。
● UL级:等同于美国SEME C7标准,控制0.5、0.3μm颗粒,控制三十多个金属元素,单项金属元素控制在10PPb以下。
● SL级:等同于美国SEME C8标准,控制0.3μm颗粒,控制三十多个金属元素,单项金属元素控制在1PPb以下。
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