品名	英文名	分子式	级别
			SL	UL	VL(CMOS)	EL
氟化铵腐蚀液(BOE)	Ammonium Fluoride Etchant	NH4F·HF	■	■	■	■
氟化铵腐蚀液(BOES)	Ammonium Fluoride Etchant(with Surfactant）	NH4F·HF	■	■	■	■
铝蚀刻液	Aluminum Etchant	H3PO4·HNO3·CH3COOH		■	■	■
钼蚀刻液	Mo Etchant	H3PO4·HNO3·CH3COOH		■	■	■
钼铝/钼铝钼蚀刻液	MoAl/MoAlMo Etchant	H3PO4·HNO3·CH3COOH		■	■	■
硅蚀刻液(MAE)	Silicon Etchant	HNO3·HF·CH3COOH		■	■	■
金蚀刻液	Au Etchant	KI				■
银蚀刻液	Ag Etchant	H3PO4·HNO3		■	■	■
钛蚀刻液	Ti Etchant	HF	■	■	■	■
铬蚀刻液	Cr Etchant	HNO3CAN			■	■
酸性剥离液(AP-2X)	Nanostrip 2XP	H2SO5		■	■	■
氢氟酸腐蚀液DHF	Hydrofluoric Acid(with Surfactant）	HF	■	■	■	■
ITO蚀刻液(王水)	ITO Etchant	HNO3·HCI			■	■
ITO蚀刻液(草酸)	ITO Etchant	HNO3·HCI			■	■
ITO蚀刻液(FeCl3)	ITO Etchant	HNO3·HCI				■

● EL级：优于美国SEME C1标准，控制1μm颗粒，控制十多个金属元素，单项金属元素控制在100PPb。
● VL级：介于EL与UL之间，控制0.5μm颗粒，控制三十多个金属元素，单项金属元素控制在10~100PPb。
● UL级：等同于美国SEME C7标准，控制0.5、0.3μm颗粒，控制三十多个金属元素，单项金属元素控制在10PPb以下。
● SL级：等同于美国SEME C8标准，控制0.3μm颗粒，控制三十多个金属元素，单项金属元素控制在1PPb以下。